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3401B A19T-TD(56K)

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET) SOT-23 手冊量產型號 現貨供應

特性:VDS = -30V,ID = -4.2A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) < 74mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = -10V。 高功率和電流處理能力。 表面貼裝封裝。應用:負載開關。 PWM應用

型號
3401B A19T-TD(56K)
品類
場效應管(MOSFET)
漏源電壓
-30V
連續漏極電流
4.2A
導通電阻(RDS(on))
100mΩ@4.5V
耗散功率
1.5W
產品參數
漏源電壓-30V
連續漏極電流4.2A
導通電阻(RDS(on))100mΩ@4.5V
耗散功率1.5W
閾值電壓(Vgs(th))1.0V~2.5V@250μA
類型N溝道
封裝SOT-23
工作溫度-55℃~+150℃
階梯價格現貨供應
說明:以上爲公開參考價,實際成交價隨訂購數量、交期與結算方式確定。批量採購、樣品申請與正式報價請聯繫我方銷售。
訂購數量(只)單價(元/只)
1-9¥ 0.22
10-29¥ 0.17
30-149¥ 0.15
150-449¥ 0.13
450-1049¥ 0.12
1050+¥ 0.11
相關資料

3401BA19T-TD(56K) 數據手冊索引

收錄於《2026 Q2 量產產品手冊》第 70 頁

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