TDSEMIC HT7550-1 的 H 版與 S 版選型實錄
5V/100mA 同一顆芯片，兩個封裝怎麼選？HT7550-1 的 H 版與 S 版選型實錄
發佈：2026-10-27 · 分類：產品資訊
5V/100mA 同一顆芯片，兩個封裝怎麼選？HT7550-1 的 H 版與 S 版選型實錄
HT7550-1 系列是 TDSEMIC 拓電半導體做的固定 5V 輸出 CMOS 工藝 LDO。低壓差，低靜態電流，額定輸出電流 100mA。
同一系列分出兩個封裝版本。
HT7550-1/H-TD 走 SOT-89，自帶散熱片，散熱性能好。HT7550-1/S-TD 走 SOT-23-3，微型封裝，佔的 PCB 面積小。
兩版電氣參數一致。不一樣的地方只有封裝和熱性能。所以它們適配的是不同的結構和負載需求，不是誰比誰更好的問題。
圖 1 HT7550-1/H-TD 與 HT7550-1/S-TD 絲印與本體尺寸對照
一、產品簡介
HT7550-1 系列的底子是一樣的：CMOS 工藝，固定 5V 輸出，最大輸出電流 100mA，寬輸入耐壓，低壓差，超低靜態電流。
CMOS 工藝帶來兩個直接好處。
一是靜態電流低。傳統的雙極型 LDO，靜態電流常在毫安級，不管你帶不帶負載，它自己先喫掉幾毫安。CMOS 架構把這一項壓到了微安級，2.5μA 的量級，對靠電池撐着的板子，這個數字直接決定待機時間能有多長。
二是壓差小。CMOS 功率管的導通電阻可以做得很低，1mA 負載下壓差只有 100mV 的量級。意味着輸入電壓只要比輸出高一點點，就能穩住 5V 輸出。
這兩條加起來，就是這顆芯片的定位：給電池供電、低功耗、長期待機的板子做穩壓。
兩個封裝版本的差別：
HT7550-1/H-TD（SOT-89）
本體 4.5 × 2.5 mm，三隻翼形引腳，背面一條大面積散熱片。散熱片和 2 腳 GND 內部同電位，焊到銅皮上就等於給芯片裝了一塊散熱器。散熱能力強，能扛住比較大的壓差和持續負載。
HT7550-1/S-TD（SOT-23-3）
本體 2.9 × 1.3 mm，只有三隻短引腳，沒有散熱片。佔板面積比 SOT-89 小一大截，適合空間被榨乾的板子。代價是散熱偏弱，壓差大或者持續滿載就不合適了。
順便說一句命名邏輯：7550 裏的 75 是系列代號，50 代表 5.0V 輸出。同一系列還有 7533、7525 這些檔位，分別對應 3.3V、2.5V。所以看到 7550 就該知道這是固定 5V，不是可調。
系列裏還有一個 55V 高壓版本：HT7550-1/H-TD(55V)。
這個型號把耐壓抬到了 55V。輸出仍是固定 5V，輸出電流 150mA，靜態電流 2.5μA，精度 ±2%，SOT-89 封裝，工作溫度 −45 ~ +120℃。
要說清楚一點：它不是一個"批次差異"，而是獨立在售的 SKU。括號裏的 55V 是型號的一部分，下單、建庫、寫 BOM 都不能省。省掉括號，就變成了另一顆 30V 的器件。
那它解決什麼問題？解決輸入電壓天花板。工業 36V 母線、48V 通信電源、車載 24V 系統帶負載突降，這些場合輸入峯值經常越過 30V，30V 版本就沒餘量了。
但它不解決壓差。這一點後面第二節會算。
二、參數對比
先看共用部分。兩個封裝的芯片本體是同一顆，下面這張表兩版通用。
參數
符號
測試條件
典型值
單位
輸出電壓
VOUT
固定檔位
5.0
V
最大輸出電流
IOUT
—
100
mA
最大輸入電壓
VIN
—
30
V
靜態電流
IQ
無負載
2.5
μA
壓差
VDROP
IOUT = 1mA
100
mV
輸出電壓精度
—
—
±3
%
線性調整率
—
VIN 變化
0.2
%/V
工作溫度
TA
—
−40 ~ +85
℃
最大輸入電壓 30V。這個耐壓在這個價位段算寬裕。12V、24V 工業母線直接接進來沒問題，不需要前置降壓。但要注意，耐壓是極限值，不是工作值，長期工作在接近 30V 的場合，餘量和散熱都要另算。
壓差 100mV @ 1mA。測試條件是 1mA，不是滿載。這一點手冊上寫得很清楚，但容易被忽略。滿載 100mA 時壓差會明顯變大，具體數值要看手冊裏的壓差-電流曲線。選型時按滿載壓差算，別按 1mA 的數算。
精度 ±3%。對 5V 輸出來說，就是 4.85V ~ 5.15V 的範圍。如果後級有對電壓敏感的器件，比如某些 ADC 基準、射頻模塊，這個精度要確認夠不夠。不夠就得選更高精度的型號。
靜態電流 2.5μA。這個數的意義在輕載和空載時才體現。滿載時它被負載電流淹沒，可以忽略；空載時它就是全部消耗。
項目
HT7550-1/H-TD
HT7550-1/S-TD
封裝
SOT-89
SOT-23-3
本體尺寸
4.5 × 2.5 mm
2.9 × 1.3 mm
引腳間距
1.5 mm
0.95 mm
散熱片
有（背面大面積裸露）
無
熱阻 θJA
約 100 ~ 160 ℃/W
約 250 ~ 400 ℃/W
25℃ 允許功耗
約 0.6 ~ 1.0 W
約 0.25 ~ 0.4 W
佔板面積
大
小
電氣參數
一致
一致
55V 高壓版本的參數要單獨列
上面兩張表是 30V 基礎版本的口徑。HT7550-1/H-TD(55V) 是另一個料號，參數單獨看：
參數
HT7550-1/H-TD(55V)
最高輸入電壓
55 V
輸出電壓
5.0 V（固定）
輸出電流
150 mA
靜態電流
2.5 μA
輸出電壓精度
±2 %
工作溫度
−45 ~ +120 ℃
封裝
SOT-89
耐壓上去了，但不代表功耗好處理。壓差纔是功耗的來源。
算一筆賬，24V 降到 5V，壓差 19V：
· 負載 10mA，PD = 0.19W，SOT-89 溫升約 19 ~ 30K，沒問題。
· 負載 50mA，PD = 0.95W，溫升約 95 ~ 152K，已經越界。
· 負載 150mA，PD = 2.85W，溫升約 285 ~ 456K，完全不可能。
所以 55V 版本的定位得說清楚：它解決"輸入電壓高"，不解決"壓差大還能帶大電流"。
高壓場合的正確用法是：LDO 只做後級穩壓和淨化，前面的壓差交給開關電源去消；或者負載本身就是微安到毫安級的待機電路。
熱阻這一欄要留個心眼。不同來源給出的 θJA 差別很大，100℃/W 和 160℃/W 都有，因爲測試板不一樣。手冊上的熱阻基於標準測試板，你實際布出來的板子，銅皮面積、層數、過孔、周圍有沒有發熱器件，全都會改這個數。
實測和手冊差 30% 以上是常見情況。按手冊數算出來的餘量，最好再留一倍。
功耗公式不復雜：
PD = (VIN − VOUT) × IOUT + VIN × IQ
後面那一項在毫安級負載下可以忽略。100mA 輸出時，IQ 貢獻只有 0.0025W 的量級，可以不計。但如果是空載待機，就只剩後面那一項了，2.5μA × 12V = 30μW，這就是待機功耗的主要來源。
算幾個實際場景，TJ 上限按 125℃、環境 40℃ 算：
場景
PD
H 版溫升
S 版溫升
結論
6V→5V @100mA
0.10 W
10 ~ 16 K
25 ~ 40 K
兩版都行
9V→5V @50mA
0.20 W
20 ~ 32 K
50 ~ 80 K
H 版穩，S 版偏緊
12V→5V @50mA
0.35 W
35 ~ 56 K
88 ~ 140 K
S 版不建議
12V→5V @100mA
0.70 W
70 ~ 112 K
175 ~ 280 K
只能用 H 版
這張表是全文最該記住的東西。同樣一顆芯片，壓差從 1V 拉到 7V，功耗翻七倍，封裝選錯就是直接燒。
溫升那一欄是估算區間，取的是熱阻區間的兩端。實際數值要實測，但區間能告訴你夠不夠。判斷標準很簡單：環境溫度 + 溫升 < 125℃，留 20℃ 以上餘量更穩.
三、引腳對照
兩版都是三引腳，引腳定義完全一致。
Pin 1 = VIN，Pin 2 = GND，Pin 3 = VOUT。
圖 2 SOT-89 與 SOT-23-3 引腳定義對照（頂視圖）
頂視圖看過去，腳位排布方向也一樣。原理圖符號可以共用，PCB 封裝庫裏的網絡命名也一致。
唯一要額外處理的，是 SOT-89 那條散熱片。
散熱片在內部和 2 腳相連，電氣上是 GND。但它在封裝上是一條獨立的寬金屬片，不在三隻引腳之列。建封裝的時候，它必須單獨做成一個焊盤，並接到 GND 網絡。
這裏出過問題。
有人建庫時圖省事，散熱片焊盤忘了加網絡，板子做回來芯片是浮的，散熱等於沒有，滿載跑一會兒就燙手。這種問題在打樣階段不一定暴露，量產了才發現，返工成本很高。
還有人把散熱片直接連到 1 腳 VIN 上，一上電就是短路。這種錯誤通常來自封裝庫複製粘貼時沒改網絡名。
SOT-23-3 沒有這個問題，三隻腳就是全部，按常規三腳器件處理就行。
建庫檢查清單：
· SOT-89 封裝是否有獨立的散熱片焊盤
· 散熱片焊盤的網絡名是否爲 GND
· 三隻引腳的網絡是否與原理圖一一對應
· 絲印的 1 腳標記方向是否與頂視圖一致
· 引腳間距是否按 1.5mm（SOT-89）或 0.95mm（SOT-23-3）設置
最後一條容易被忽略。SOT-23-3 的 0.95mm 腳距很密，焊盤寬度如果按常規 0.6mm 做，很容易連錫。建議焊盤寬度控制在 0.5mm 以內，兩側留足阻焊。
四、典型應用電路
外圍元件非常簡單。一顆輸入電容，一顆輸出電容，完事。
圖 3 HT7550-1 通用應用電路（固定 5V 輸出）
輸入電容 CIN
作用是給 LDO 提供就近的瞬態電流，同時壓住輸入線上的噪聲。推薦 10μF 陶瓷，X7R 或 X5R 材質。
材質別省。Y5V 這類電容在直流偏壓下容量能掉八成以上，標稱 10μF 實際剩不到 2μF，等於沒裝。這個坑在成本壓力下特別常見，採購換料時一定要看材質代號，別隻看容值和耐壓。
額定電壓要留餘量。輸入 12V 的場合，別用 16V 的電容硬扛，選 25V 或 50V 更穩，容量衰減也小。陶瓷電容的直流偏壓特性跟額定電壓強相關，耐壓越高，同樣電壓下的容量保持率越好。
輸出電容 COUT
作用是穩住反饋環路，壓住負載跳變時的電壓跌落。1μF 起，陶瓷材質。
如果後級有突發電流的負載，比如繼電器、無線模塊發射瞬間，輸出電容加到 10μF 會更從容。
瞬態響應這件事，值得多說一句。LDO 的環路帶寬有限，負載電流突然跳變時，輸出會先跌一個坑，再被環路拉回來。這個坑的深度跟輸出電容、環路帶寬、負載跳變速率都有關係。100mA 的負載跳變，如果 COUT 只有 1μF，跌個幾百毫伏很正常。後級 MCU 的復位閾值如果餘量不足，就會誤復位。
所以輕載場合 COUT 可以小，但如果有突發負載，寧可多給一點。
有一點要提醒：這類 CMOS LDO 對輸出電容的 ESR 不敏感，用低 ESR 的 MLCC 是安全的。但如果你的板子上輸出端並了一大堆去耦電容，總容量遠超推薦值，上電瞬間的浪湧電流會變大，這時候要確認輸入端的供電能力跟得上。
兩套外圍方案
項目
H 版方案
S 版方案
CIN
10μF / 25V X7R
1μF / 16V X7R
COUT
10μF / 10V X7R
1μF / 10V X7R
壓差控制
可放寬到 7V
建議 3V 以內
負載
持續 50 ~ 100mA
μA ~ 20mA
典型輸入
12V 適配器、24V 工控母線
6 ~ 9V 電池
H 版方案適合持續帶載。多給電容餘量，是因爲負載電流大、壓差大的時候，輸入電壓的波動也更明顯。
S 版方案適合空間緊湊的低功耗傳感器小板。1μF 夠用，別爲了"看起來穩"硬塞 10μF，佔地方還增加上電衝擊。
五、PCB 佈局實操
HT7550-1/H-TD（SOT-89）
核心思路一句話：把散熱片當成散熱器來布。
圖 4 SOT-89 與 SOT-23-3 佈局參考對比
· 散熱片焊盤整片鋪銅，面積儘量做大，1cm² 是起步值。銅皮越大，θJA 越低，這一條比什麼都管用。
· 散熱片下面打多排過孔到內層地，過孔要小、要多、要貼着焊盤。熱從背面走，靠的就是這些過孔。0.3mm 孔徑、0.6mm 間距是比較常用的組合。
· 輸入輸出電容就近放。CIN 距 1 腳 3mm 以內，COUT 距 3 腳 3mm 以內。電容的地端直接回 GND 銅皮，別繞路。
· 功率地和信號地分開走，在芯片 GND 附近單點匯合。別讓負載的大電流從芯片底下穿過去，那樣會在 GND 上疊加壓降，輸出跟着抖。
· 鋪銅別隻做一層。頂層鋪完，底層也鋪一塊，用一圈過孔連起來，散熱效果差很多。四層板的話，把 GND 層直接接到散熱片下方，效果最好。
這套布法適合壓差偏大、長期接近滿負載的場景。12V 降到 5V 拉 100mA，功耗 0.7W，全靠這塊銅皮往外送。
一個細節：鋪銅的時候別在散熱片正下方開槽。有人爲了讓信號線走通，在散熱片下面挖了個槽，熱量被切斷，效果大打折扣。寧可繞線，也別斷銅。
HT7550-1/S-TD（SOT-23-3）
核心思路反過來：面積省下來了，熱量省不出來。
這裏必須重點提醒散熱限制。
· SOT-23-3 沒有散熱片，熱量只能從三隻引腳和本體散出去。θJA 在 250℃/W 以上，是 SOT-89 的兩倍多。
· 不適合大壓差。壓差超過 3V 就要開始算賬，超過 5V 基本別考慮。
· 不適合持續滿載。100mA 連續跑，壓差 2V 時功耗 0.2W，溫升已經 50℃ 往上，環境溫度一高就沒餘量了。
· 遠離發熱器件。DC-DC 電感、整流管、功率 MOS、功放，這些旁邊至少留 5mm。別把 LDO 塞在電感邊上省地方，那是自己找麻煩。
· GND 還是要給一小塊銅。不用鋪大，但 2 腳周圍得有一塊像樣的銅皮，讓熱量有個出口。走線儘量短，短就是省面積。
· 走線要夠寬。1 腳和 3 腳的走線按 0.3mm 以上做，既降阻抗也幫着導熱。
· 別用大面積鋪銅包住它。聽起來反直覺，但 S 版周圍如果鋪一大片銅，焊接時散熱太快，手工焊容易虛焊；而且這片銅會從旁邊的發熱器件把熱吸過來。小面積、夠用就好。
一個實際案例：某傳感器小板用 S 版，輸入 12V，負載 60mA，壓差 7V，功耗 0.42W。板子回來跑十分鐘外殼燙手，輸出開始往下掉。後來改成 H 版，同樣的電路一次過。
選擇用 H 版還是 S 版，本質上就是先算功耗、再看封裝能不能扛住；不能靠感覺。
六、選型對照
維度
HT7550-1/H-TD
HT7550-1/S-TD
封裝
SOT-89
SOT-23-3
佔板面積
大（約 11 mm² 本體）
小（約 4 mm² 本體）
散熱能力
強，靠背面散熱片
弱，靠引腳
θJA
100 ~ 160 ℃/W
250 ~ 400 ℃/W
可持續負載
50 ~ 100 mA
0 ~ 20 mA
可承受壓差
7V 以內（100mA 時建議 5V）
3V 以內
焊接難度
一般，散熱片焊盤要夠錫
容易
返修
需要熱風，散熱片吸熱
烙鐵可拆
最高輸入電壓
30V（另有 55V 高壓版）
30V
推薦場景
工控、持續帶載、壓差偏大
傳感器模組、穿戴、空間緊張
焊接這一欄也值得說一句。SOT-89 的散熱片面積大，迴流焊時吸熱明顯，焊盤上錫量不足容易虛焊。手工返修更麻煩，散熱片會把烙鐵的熱量迅速帶走，得用熱風槍配合預熱臺。
SOT-23-3 就輕鬆多了，普通烙鐵就能拆裝。
如果你需要 55V 耐壓，選的是 HT7550-1/H-TD(55V)。封裝與本表 H 版一樣，都是 SOT-89，散熱處理方式完全照搬上面第五節。差別只在耐壓、電流和精度：55V、150mA、±2%。
它們的封裝相同、單價接近，但耐壓不同，標籤貼錯就是批量問題——30V 版本裝到 36V 母線上，上電就可能擊穿。
採購角度看，兩版的單價差異通常不大，但要注意兩點：一是 SOT-89 的編帶尺寸與 SOT-23-3 不同，貼片機的供料器要換；二是 SOT-89 的體積大，倉儲和運輸佔空間更多。批量生產時這些都會體現在成本里。。
七、適用場景
選 H 版（SOT-89）的場景
· 工控小板。24V 母線降到 5V 給 MCU 和接口芯片供電，壓差大，負載穩定在幾十毫安。
· 遙控器、手持設備的主供電。需要 5V 穩定輸出，負載會有突發電流。
· 需要持續 50 ~ 100mA 負載的板子。滿載是常態，不是偶爾。
· 壓差偏大的電池供電設備。比如 9V 電池或者 12V 適配器降到 5V，壓差就很可觀了。
· 有散熱條件的板子。四層板、有大面積地平面、外殼是金屬的，這些條件能讓 SOT-89 發揮得更好。
· 需要長時間連續工作的設備。溫升餘量大，壽命更穩。
· 高壓母線場合要用 55V 版本。36V 工業母線、48V 通信電源、車載 24V 系統，輸入峯值容易越過 30V，這時候得選 HT7550-1/H-TD(55V)。但注意，耐壓上去之後壓差往往也跟着變大，負載必須壓低到 10mA 級，或者前面加一級開關電源把壓差消掉。
選 S 版（SOT-23-3）的場景
· 小型傳感器模組。板子只有指甲蓋大小，每個平方毫米都要爭。
· 穿戴配件。空間是第一約束，負載通常只有幾毫安。
· 紅外小板、接收頭供電。負載輕，壓差小，持續性要求不高。
· PCB 空間緊張、輕載低功耗的產品。待機時間長比帶載能力重要。
· 電池直供且電壓接近 5V 的場合。比如 4 節鎳氫 4.8V，或者單節鋰電升壓到 6V，壓差都在 1V 出頭，散熱壓力自然就小。
有一個判斷順序可以照着走：
先看壓差。VIN 減 5V 超過 3V，直接選 H 版，別猶豫。
再看負載。持續電流超過 20mA，傾向 H 版。
最後看空間。如果前兩條都過關，板上實在放不下 SOT-89，那就用 S 版，但要把輸入電壓壓下來，或者接受負載只能做到十幾毫安。
反過來說，如果空間確實緊，但壓差和負載都超標，怎麼辦？
三個辦法：一是前面加一級 DC-DC 把壓差降下來，讓 LDO 只做後級淨化；二是換更小的輸入電壓源；三是接受 S 版但把負載砍到 10mA 以內。第三個辦法最省事，但也最容易被後來的需求變更打破，做設計時要想清楚。
八、小結
選型一句話：空間緊、負載輕、壓差小，用 S 版；要散熱、要帶載、壓差大，用 H 版。
具體判據就三條：
壓差超過 3V，選 H。持續負載超過 20mA，選 H。兩樣都不佔，板上又放不下，選 S。
真正容易出錯的地方，是先看封裝大小再算功耗；這個順序反了，量產就會返工。
輸入電壓經常越過 30V 的，直接上 HT7550-1/H-TD(55V)。但耐壓不等於功耗，負載照樣得壓到 10mA 級，別指望它在大壓差下帶滿電流。
還有一句：熱阻手冊給的是標準測試板數據，你的板子跟它不一樣。算出來的餘量，留一倍最踏實。
最後補一條容易被忽視的：兩版的電氣參數一致，所以打樣階段用哪版都能驗證電路功能。但熱性能必須用目標封裝驗證。用 S 版打樣說功能正常，不代表換 H 版就沒問題，反過來更是如此。散熱是結構問題，不是電氣問題，只能實測。
