TDSEMIC HT7533 系列不是一顆料號：耐壓 36V / 24V / 55V選型

發佈：2026-10-28　·　分類：產品資訊

一、開篇：五個料號，一顆內核

TDSEMIC 拓電半導體的 HT7533 系列，是一組 CMOS 工藝的固定 3.3V 輸出 LDO 線性穩壓器。

三端結構，外圍只要兩顆電容，靜態電流在微安級。

在公開目錄裏能落單的料號，至少有五個：HT7533-1、HT7533S、HT7533-1-TD(24V)、HT7533-1/H-TD(55V)、HT7533S-TD(55V)。

五個料號，內核是同一顆。3.3V 輸出這一條不變。

變的是兩件事：封裝，和耐壓檔。

封裝只有兩種，SOT-89 和 SOT-23-3。耐壓有三檔，默認 36V、24V、55V。

兩維交叉，才落到一個具體料號上。

先說明一點：耐壓檔不全寫在型號主體裏，有一部分寫在括號裏。(24V)、(55V) 這兩個括號，是訂單和 BOM 上最容易被抄漏的內容——漏了，拿到的可能就是 36V 的默認檔。

二、產品簡介：一顆內核，兩條封裝線，三檔耐壓

2.1 系列共性

固定 3.3V 輸出。CMOS 工藝。低壓差。超低靜態電流。三端封裝，VIN / GND / VOUT 三個功能。

這幾條是全系列的底盤，五個料號完全一樣。

它劃出的使用邊界也很清楚：電池供電、低功耗待機、需要長期在線但電流不大的小板子。

反過來，大壓差還帶大電流，不是它該乾的活。壓差乘電流就是芯片自己喫掉的功率，一分不少全變成熱。這是線性穩壓器的物理規律，跟哪家做的沒有關係。

55V 那一檔同樣受這條約束。耐壓高只說明它敢接高壓，不說明它在高壓下能帶大電流。這兩件事經常被混爲一談。

2.2 默認檔：HT7533-1 與 HT7533S

型號後面不帶括號的，走 36V 這一檔。

HT7533-1 是 SOT-89 封裝，HT7533S 是 SOT-23-3 封裝。

這一檔的輸出電流標 100mA，靜態電流 2μA，輸出精度 ±2%，工作溫度 −40 ~ +85℃。

S 這個字母在這裏是封裝位：7533S 的 S，對應 SOT-23-3。

注意 36V 這個數字的口徑。同一顆 HT7533-1，不同渠道的參數欄裏有 36V 和 30V 兩種寫法，數據手冊正文又有"最高輸入 30V"的表述。做設計按保守的那個取，留餘量不喫虧。

2.3 24V 檔：HT7533-1-TD(24V)

這個料號的括號裏寫的是 24V。

封裝還是 SOT-89，輸出電流 100mA，靜態電流 2.5μA，工作溫度 −40 ~ +85℃。

它的參數欄裏還有一處口徑差：頁面描述寫"最大輸入電壓 24V"，參數欄的工作電壓寫 28V。兩個數字不是一回事——24V 是標稱應用上限，28V 更接近器件的耐壓邊界。

工程上的用法：系統電壓按 24V 設計就用它，不要拿 28V 當設計輸入。

這個料號沒有 H。它同樣是 SOT-89，和 55V 版本是同一個封裝。

這一條很關鍵：H 分不出封裝。

2.4 55V 檔：HT7533-1/H-TD(55V) 與 HT7533S-TD(55V)

55V 這一檔有兩個料號，都走 SOT-89 封裝。

HT7533-1/H-TD(55V)：耐壓 55V，輸出電流參數欄標 150mA，靜態電流 2.5μA，工作溫度 −45 ~ +120℃。

HT7533H-TD(55V)：耐壓 55V，輸出電流 250mA，靜態電流 2.5μA，輸出精度 ±1%，工作溫度 −40 ~ +85℃。

兩個料號的 H 位置不同，一個在料號段裏（/H-TD），一個緊跟型號（7533S），但都指向 55V 這一檔。

這裏還有一處需要留意：HT7533-1/H-TD(55V) 的商品標題寫"3.3V 250mA 55V"，參數欄寫 150mA。標題和參數欄不一致，實際以數據手冊的 Output Current 爲準，選型按 150mA 這一檔留餘量。

55V 檔不只有 SOT-89 SOT‑23‑3封裝同樣可以做到55V耐壓，不是隻有SOT‑89纔有55V

2.5 把命名拆開看

一個完整料號，可以拆成四段：

第一段是系列名，HT7533。

第二段是封裝位，S 表示 SOT-23-3；沒有 S 的，走 SOT-89。

第三段是耐壓檔，寫在括號裏，(24V)、(55V)；不寫括號的默認 36V。

第四段是 TD，代表 TDSEMIC 版本。

按這個拆法回頭看那五個料號，就都能對上號了。

需要老實說一句：H 和耐壓檔的對應關係，是從公開目錄的料號分佈裏讀出來的——55V 的兩個料號都帶 H，24V 和 36V 的都不帶。這是可觀察的規律，不是廠商公開發布的命名文檔。下單前用數據手冊和來料標籤確認一次，比記住任何口訣都可靠。

三、參數對比：電一樣，耐壓和熱不一樣

3.1 全系共用的電氣底盤

五個料號用的是同一顆內核，下面這些數字通用。

參數

符號

數值

條件 / 單位

輸出電壓

VOUT

3.3

V，固定

輸出類型

—

固定正壓

—

輸出電容

COUT

≥ 2.2

μF，陶瓷

靜態電流

2.0 ~ 2.5

μA，典型

引腳功能

—

VIN / GND / VOUT

定義一致

封裝形式

—

SOT-89 / SOT-23-3

三端

靜態電流這一欄注意量級：2μA 級別，對電池待機是實打實的優勢。但它是典型值，不是上限。做功耗預算時按上限留餘量。

3.2 耐壓檔分叉

這是選型的第一道門。輸入電壓決定你落在哪一檔。

料號

封裝

耐壓檔

輸出電流

靜態電流

工作溫度

HT7533-1

SOT-89

36V（默認）

100 mA

2 μA

−40 ~ +85℃

HT7533S

SOT-23-3

36V（默認）

100 mA

2 μA

−40 ~ +85℃

HT7533-1-TD(24V)

SOT-89

24V

100 mA

2.5 μA

−40 ~ +85℃

HT7533-1/H-TD(55V)

SOT-89

55V

150 mA

2.5 μA

−45 ~ +120℃

HT7533H-TD(55V)

SOT-89

55V

250 mA

2.5 μA

−40 ~ +85℃

耐壓往上走，靜態電流從 2μA 抬到 2.5μA。幅度很小，但做長期待機預算時要算進去。

55V 檔的工作溫度上限也高一些，一個到 120℃，一個到 85℃。型號不同，別一概而論。

3.3 封裝分叉

耐壓定完之後，第二道門是封裝。這一維影響的是散熱，不是電氣。

項目

SOT-89

SOT-23-3

本體尺寸

4.5 × 2.5 mm

2.9 × 1.3 mm

本體面積

約 11.3 mm²

約 3.8 mm²

引腳間距

1.5 mm

0.95 mm

散熱焊盤

有，背部整片

無

θJA 參考範圍

100 ~ 160 ℃/W

250 ~ 400 ℃/W

常溫可耗散功率

0.5 ~ 1.0 W（含鋪銅）

0.25 ~ 0.35 W

θJA 是結到環境的熱阻，數值越小散熱越好。SOT-89 因爲有背面焊盤，熱阻大約是 SOT-23-3 的三分之一到二分之一。

用法很直接：功耗乘 θJA，再加環境溫度，就是結溫估計。

壓不住就換封裝，不是換參數。同一個料號改不出更高的散熱能力。

（θJA 與可耗散功率是封裝量級的參考值，實際取決於鋪銅面積、層數、過孔數量、風道。極限設計按手冊曲線和樣機實測取值。）

四、絲印與引腳：封裝看得見，耐壓看不見

SOT-89 和 SOT-23-3 都是三引腳，功能定義完全一致：VIN、GND、VOUT。

但這層關係要拆成兩件事看：外觀只能讀出封裝，引腳編號卻隨封裝改變。前者決定你怎麼驗料，後者決定你怎麼畫板。

4.1 絲印能看封裝，看不出耐壓

絲印與本體尺寸對照：SOT-89 簡碼 7533H + TD，SOT-23-3 簡碼 7533S + TD

本體上的絲印是簡碼，不是完整型號。

兩個封裝的尺寸差得多，絲印區域也不一樣，所以從簡碼能讀出封裝：7533H 是 SOT-89，7533S 是 SOT-23-3。

但簡碼讀不出耐壓檔。這一點比封裝更容易踩坑——

24V 檔的 HT7533-1-TD(24V) 和 55V 檔的 HT7533-1/H-TD(55V)，都是 SOT-89，本體大小一樣，絲印區域一樣。光看芯片，分不出手裏的這顆是 24V 還是 55V。

裝錯檔位的後果不對稱。把 24V 檔裝到 48V 迴路上，芯片直接擊穿；把 55V 檔裝到 24V 迴路上，多數時候能工作，但靜態電流和精度都和設計值有偏差，屬於隱性錯誤。

所以確認完整料號，只能靠三樣：來料包裝標籤、編帶上的標註、採購單據。

首件確認時別想着"看一眼芯片就知道是哪個料號"，看不出來。

工程上的用法：用絲印確認封裝，用標籤確認耐壓檔，兩個維度分開做，別混在一起。

絲印字符與朝向以官方數據手冊和來料批次爲準，不同批次可能有細微差別。

4.2 引腳定義：同一組功能，兩種排法

引腳定義對照：SOT-89 中間腳是 VIN，SOT-23-3 中間腳是 VOUT

SOT-89：引腳 1 = GND，引腳 2 = VIN，引腳 3 = VOUT。

看清楚，中間那隻腳是輸入。散熱焊盤與引腳 2 同電位。

SOT-23-3：引腳 1 = GND，引腳 2 = VOUT，引腳 3 = VIN。

中間那隻腳變成了輸出，輸入跑到了上方單腳。

這一條和耐壓檔無關。不管選 24V、36V 還是 55V，只要封裝是 SOT-89，就是中間腳進電；只要封裝是 SOT-23-3，就是中間腳出電。

4.3 改板時最容易翻車的一處

在同一耐壓檔裏換封裝，焊盤要重畫。

重畫時如果照着舊圖的位置去連，中間腳還接輸入，就把 VOUT 接到了輸入網絡上。

上電瞬間，負載端拿到的是未經穩壓的輸入電壓。

在 55V 系統裏，這個錯誤的代價比 5V 系統高一個數量級。負載側通常是 3.3V 的 MCU，直接喫一次 55V，沒有第二次機會。

換封裝不是換庫文件，是重做一次引腳映射。原理圖裏那兩個網絡的連線，要跟着封裝一起改。

改板的核對順序，按這個走基本不會錯：先改封裝庫，再改原理圖符號的引腳號映射，然後放回 PCB 重新佈線，最後對照 BOM 裏的料號確認一次——括號裏的耐壓檔也要一起確認。

順序反過來——先佈線後改符號——網絡名是對的，物理連接是錯的，DRC 查不出來。

4.4 上電前怎麼驗

首件板回來，先別插電源。

用萬用表二極管檔，紅筆點 VOUT 焊盤、黑筆點 GND 焊盤，應該讀到一個反向的體二極管壓降。讀到接近 0，說明輸出和地短了，先查焊接。

再測 VIN 和 VOUT 之間。如果兩個網絡在某處被連到一起，這一步能抓出來。

高壓板再加一步：量一遍 VIN 到 GND 的阻值。正常是很大的數值，讀到幾十歐甚至更低，說明輸入端有短路或者電容擊穿。55V 板子上電前做這一步，能省掉一次炸機的風險。

確認無短路再上電，先示波器看輸出，再接負載。修板過程裏，先上電後檢查的順序代價太大。

五、典型應用電路

標準 LDO 供電電路，外圍只有兩顆電容。

典型應用電路：外圍只要 CIN 與 COUT 兩顆陶瓷電容

5.1 取值

輸入電容 CIN：1μF 起步。輸入端有長線、有熱插拔、或者上游是開關電源時，取 10μF。

位置比容量重要。CIN 要貼着 VIN 腳放，走線越短越好。它的作用是給輸入端的瞬態電流找一條近路，離遠了就沒意義。

輸出電容 COUT：2.2μF 起步，陶瓷，X5R 或 X7R。

不要貼着下限選。陶瓷電容的容量會隨直流偏壓和溫度衰減，標稱 2.2μF 的 0603 在 3.3V 偏壓下可能只剩一半。留一倍餘量更穩。

高壓輸入時，CIN 的耐壓要單獨核一遍。24V 系統用 50V 耐壓的電容，48V 系統用 100V 的，別用 25V 的湊。這一條經常被漏，因爲在低壓板上從來不構成問題。

5.2 三套方案

方案一：36V 默認檔 + SOT-89（HT7533-1），持續帶載

適合輸出電流長期在 50 ~ 100mA 的場景。壓差可以偏大一些，因爲背面有散熱焊盤兜底。

典型配置：CIN 10μF，COUT 10μF，背面焊盤打 6 個 Ø0.3mm 過孔連地平面。

方案二：36V 默認檔 + SOT-23-3（HT7533S），空間緊湊的低功耗 MCU 小板

適合輸出電流在幾毫安到二十毫安的場景。壓差要控制住，最好不超過 5V。

典型配置：CIN 1μF，COUT 2.2μF，全部 0402 或 0603，圍繞芯片做緊湊佈局。

方案三：55V 檔 + SOT-89（HT7533-1/H-TD(55V) 或 HT7533H-TD(55V)），高壓輸入、小電流

適合 24V、36V、48V 總線直接進 LDO 的場景，負載只有幾毫安。

這一檔存在的意義，是讓你不必在前級多加一級降壓就能接高壓。但代價是功耗全壓在 LDO 上——輸入 48V、輸出 3.3V、帶 5mA，就是 0.22W，比 5V 轉 3.3V 滿負載的功耗還高。

典型配置：CIN 1μF / 100V，COUT 10μF，背面焊盤鋪銅給足，四周留出散熱空間。

三套方案不要混用。S 版照搬 SOT-89 的電流預算，一定會過熱；55V 檔照搬 36V 檔的功耗預算，會結溫超標。

5.3 一個必須算的賬

壓差乘以電流，就是芯片自己喫掉的功率。

12V 進、3.3V 出，壓差 8.7V。帶 50mA，功耗 0.44W。這個數字對 SOT-23-3 已經越界了——不是接近上限，是遠超。

工況

壓差

負載

功耗

SOT-89 結溫

SOT-23-3 結溫

5 V → 3.3 V

1.7 V

100 mA

0.17 W

約 46 ℃

約 76 ℃

12 V → 3.3 V

8.7 V

10 mA

0.09 W

約 36 ℃

約 51 ℃

12 V → 3.3 V

8.7 V

50 mA

0.44 W

約 80 ℃

約 156 ℃

24 V → 3.3 V

20.7 V

5 mA

0.10 W

約 38 ℃

約 56 ℃

24 V → 3.3 V

20.7 V

10 mA

0.21 W

約 51 ℃

約 87 ℃

36 V → 3.3 V

32.7 V

5 mA

0.16 W

約 45 ℃

不適用（36V 邊界）

48 V → 3.3 V

44.7 V

5 mA

0.22 W

約 53 ℃

不適用

55 V → 3.3 V

51.7 V

5 mA

0.26 W

約 57 ℃

不適用

（按環境溫度 25℃、SOT-89 的 θJA 取 125℃/W、SOT-23-3 取 300℃/W 估算，結溫上限按 125℃ 保守取值。實際以手冊曲線和實測爲準。）

六、PCB 佈局實操：兩種封裝，兩套規則

兩種封裝的 PCB 佈局對比：散熱焊盤加過孔陣 vs 縮短迴路、遠離熱源

6.1 SOT-89（HT7533-1、HT7533-1-TD(24V)、兩個 55V 料號）

散熱焊盤是主通道，不是裝飾。

焊盤底下要打孔。6 個過孔起步，孔徑 0.3mm，直接連到底層地平面。過孔越多、越靠近焊盤中心，熱阻越低。

焊盤和鋪銅之間不能留縫。有些封裝庫把散熱焊盤單獨做成一個網絡，鋪銅連不上，熱量就堵在焊盤上出不來。打開 DRC 之前，先確認焊盤是實連地，不是懸空。

鋪銅面積給足。100mm² 以上比較穩妥，條件允許就往 200mm² 做。功率地和信號地在這一塊可以合併，不需要刻意分開——這顆料電流不大，迴流路徑短。

輸入輸出電容就近。CIN 到 VIN 腳控制在 3mm 以內，COUT 到 VOUT 腳同樣。中間不要串過孔，不要走細線。

適合的場景：壓差偏大、長期接近滿負載，以及 24V 以上的高壓輸入。

踩過的坑：散熱焊盤做成獨立網絡，DRC 全綠，上電半小時後芯片燙手。電測沒問題，熱出問題了。後來把焊盤改回地網絡，結溫降了三十多度。

6.2 SOT-23-3（HT7533S）

這隻腳沒有散熱焊盤，散熱只能靠引腳和局部銅皮。

這是硬約束，改不了。所以佈局重點從"怎麼散熱"變成"怎麼少發熱"和"怎麼不添熱"。

走線要短。三根引腳的走線都控制在 2mm 以內，迴路面積壓到最小。

遠離發熱器件。板上的功率電感、MOS、整流二極管、大電流走線，都要和它保持距離。SOT-23-3 的溫升很大一部分來自鄰居。

局部地銅要給。雖然面積有限，但地銅再小也要實連到地平面，不要用一根細線慢慢繞回去——細線的熱阻和阻抗都高。

壓差控制是設計輸入，不是佈局能補救的。SOT-23-3 不適合大壓差、不適合持續滿載，也不存在 55V 檔。這三條在選型階段就要定死，佈局階段已經晚了。

實用經驗：SOT-23-3 留給輕載、低壓差、空間緊張的位置。一旦發現要帶的電流超過 20mA 而壓差又超過 5V，就該換 SOT-89，而不是想辦法加強散熱。

踩過的坑：爲了省面積把 HT7533S 塞在 DC-DC 電感旁邊，輕載時看着正常，一加負載輸出就開始飄。不是芯片壞了，是結溫上去了。挪開 8mm，重新鋪地銅，問題消失。

6.3 高壓板上兩個容易忽略的點

第一，爬電距離要重算。

SOT-89 的引腳間距是 1.5mm，SOT-23-3 只有 0.95mm。24V 系統一般不用特別處理，到 36V 以上就要看污染等級和板材的 CTI 值。

0.95mm 在 36V 下已經不算寬裕，落在污染等級 2 以上的環境裏要格外留神。55V 檔因爲只有 SOT-89，1.5mm 的間距反而寬鬆一些——這是選 55V 時一個附帶的好處。

第二，輸入電容的耐壓和佈局要一起看。

48V 系統用 100V 耐壓的陶瓷電容，封裝一般不小於 1206。這顆電容比 LDO 本身還佔面積，佈局時容易先被擠到遠處。

但它必須貼着 VIN 腳。寧可把 LDO 挪一挪，也不要讓 CIN 走 10mm 的線。

這一條在低壓板上從來不是問題，換到高壓板就變成問題了。

七、選型對照表

把前六節壓成一張表，選型時逐行對。

先按輸入電壓定耐壓檔：

輸入電壓範圍

選哪一檔

可選封裝

≤ 24 V

36V 默認檔，或 24V 檔

SOT-89、SOT-23-3

24 ~ 36 V

36V 默認檔（保守取）

SOT-89、SOT-23-3

36 ~ 55 V

55V 檔

僅 SOT-89 SOT23-3

再按散熱需求定封裝：

對比項

HT7533-1

HT7533S

HT7533-1-TD(24V)

HT7533-1/H-TD(55V)

HT7533H-TD(55V)

封裝

SOT-89

SOT-23-3

SOT-89

耐壓檔

36V

24V

55V

輸出電流

100 mA

150 mA

250 mA

靜態電流

2 μA

2.5 μA

工作溫度

−40~+85℃

−45~+120℃

−40~+85℃

絲印簡碼

7533H + TD

7533S + TD

7533H 系列

適合負載

50 ~ 100 mA

幾 mA ~ 20 mA

50 ~ 100 mA

幾 mA ~ 20 mA

20 ~ 50 mA

下單注意

無括號

型號帶 S

括號寫 24V

括號寫 55V

一句話記法：先看括號定耐壓，再看字母定封裝。

八、適用場景總結

8.1 36V 默認檔 + SOT-89（HT7533-1）

工控小板的主電源。輸入常是 12V 或 24V，負載幾十毫安，環境溫度不低，需要一顆長期穩定的穩壓器。

傳感器供電。要求紋波乾淨、長期在線，SOT-89 的散熱餘量讓它在密閉殼體裏也撐得住。

需要持續 50 ~ 100mA 負載的設備。這個電流區間正好在 SOT-23-3 的天花板之外、SOT-89 的舒適區。

8.2 36V 默認檔 + SOT-23-3（HT7533S）

小型 MCU 主板。3.3V 只給 MCU 和幾顆外設，電流個位數毫安。

紅外模組。發射瞬間有脈衝電流，但平均值低，配合足夠的 COUT 能頂住。

穿戴配件。空間是第一約束，功耗預算極緊，正好對上 2μA 的靜態電流。

8.3 24V 檔 + SOT-89（HT7533-1-TD(24V)）

24V 總線系統的常規選擇。車載 24V、工業 24V 現場，輸入波動範圍明確落在 24V 以內。

它的價值在於把耐壓邊界和系統電壓對齊。用 36V 默認檔當然也能幹，但如果你要把料號和實際工況一一對應，24V 檔更貼。

8.4 55V 檔 + SOT-89+SOT-23-3（兩個 55V 料號）

48V 通信電源、PoE 取電、48V 電池組、工業 48V 母線。

這類系統的共性是：輸入電壓高，但負載很小——通常只有幾毫安，給一顆 MCU 或者一隻傳感器供電。

負載電流小的場合，優先 HT7533-1/H-TD(55V)。工作溫度上限到 120℃，密閉殼體和高溫現場更從容。

需要稍大電流、又要求精度的場合，看 HT7533S-TD(55V)。輸出能力標到 250mA，精度 ±1%，但工作溫度上限是 85℃，熱設計要按這一條來。

兩個料號不要只看輸出電流就選大的那個。85℃ 的上限在工業現場並不寬裕。

九、文末小結

選型一句話：先看括號定耐壓，再看字母定封裝；兩維都定死，纔是一個能下單的料號。

展開說四句。

需要持續帶載、壓差偏大、環境溫度不低——選 SOT-89 封裝，36V 默認檔用 HT7533-1，24V 系統用 HT7533-1-TD(24V)。

空間緊張、輕載低功耗、板子塞不下 SOT-89——選 HT7533S，SOT-23-3 封裝，同時把電流和壓差預算壓住，遠離發熱器件。

輸入電壓超過 36V——只能走 55V 檔，封裝固定是 SOT-89。負載幾毫安、要求高溫餘量選 HT7533-1/H-TD(55V)，要更大輸出能力和精度選 HT7533S-TD(55V)，並接受 85℃ 的溫度上限。

最後提醒一句：本文的功耗與結溫按封裝熱阻量級估算，用於建立選型直覺，不代表實測值。正式設計請以 TDSEMIC 官方數據手冊的電氣參數、熱阻曲線和降額要求爲準，並在樣機上實測結溫。料號後綴、括號裏的耐壓檔與封裝對應關係，請以下單時的最新目錄和數據手冊爲準——公開渠道存在 30V / 36V、150mA / 250mA 的口徑差異，本文已按保守值取值。